介紹了IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特點,給出了高壓側(cè)自舉懸浮驅(qū)動的原理和自舉元件的設(shè)計與選擇方法.同時針對IR2110的不足提出了幾種完善的應(yīng)用方案.并給出了將IR2110用于大功率脈寬調(diào)制放大器中的應(yīng)用實例.
在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下,提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比,雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AH
本文介紹了一種基于TOPSwith系列芯片設(shè)計的小功率多路輸出AC/DC開關(guān)電源的原理及設(shè)計方法。設(shè)計要求本文設(shè)計的開關(guān)電源將作為智能儀表的電源,最大功率為10 W。為了減少PCB的數(shù)量和智能儀表的體積,要求電源尺寸盡量
概述:介紹了CCD數(shù)碼相機的結(jié)構(gòu)及對電源的要求,給出了根據(jù)電池種類(一般為堿性電池或鋰電池)、電池節(jié)數(shù)及相機尺寸來決定最佳電源解決方案的實現(xiàn)電路和方法。 1 CCD數(shù)碼相機的架構(gòu)及電源要求CCD數(shù)碼相機一般由以下
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列,可應(yīng)對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設(shè)計挑戰(zhàn)。FDMC7570S是采用3m
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的初級端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動充電器、適配器及LED照明應(yīng)用的設(shè)計人員提供了多種解決方案,以滿足能源之星(ENERGY STAR®) Level V等標準嚴格的功率和
摘要:介紹IR2110驅(qū)動模塊的特點,針對其存在的一些不足,給出相關(guān)解決方案。設(shè)計相應(yīng)的優(yōu)化驅(qū)動電路,較好地改善IR2110的驅(qū)動和保護性能,增強其實用性。 關(guān)鍵詞:IR2110;IGBT:驅(qū)動電路;保護 1 引言 驅(qū)動
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術(shù),是該公司首批采
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工程師對在其設(shè)計中加入節(jié)省空間的高效器件的需求,推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ,這兩款器件使用
摘要:針對音響功放環(huán)保節(jié)能的需要,設(shè)計一款新型功放開關(guān)電源的控制系統(tǒng).該系統(tǒng)可應(yīng)用于大型功放系統(tǒng)的DSP控制。詳細描述系統(tǒng)的組成結(jié)構(gòu)和軟硬件設(shè)計。該系統(tǒng)采用TMS320F2812為主控制器,電路結(jié)構(gòu)簡化,數(shù)字控制
由于目前使用的射頻功率放大器(PA)缺乏高效率,為手持計算設(shè)備添加無線通信功能需要使用特殊的電源管理技術(shù)。一些通信協(xié)議允許突發(fā)傳輸技術(shù),在沒有發(fā)射信號時關(guān)斷電源(通過占空比控制),但是在傳輸過程中PA效率的典型值卻不高于40%至60%。相反地,手持設(shè)備中的主電源效率的典型值為90%至95%。
LM3431—內(nèi)置升壓控制器的 PowerWise 3信道恒流LED驅(qū)動器工作原理 LM3431是一款內(nèi)置升壓開關(guān)控制器的 3 信道線性電流控制器,可以驅(qū)動超薄型電子產(chǎn)品的 LED 背光燈顯示屏。LM3431 控制器可驅(qū)動 3 個外置 NPN 晶體管
引 言 門和人類文明是孿生的,它伴隨著人類文明的發(fā)展而躍動。21 世紀的今天,門更加突出了安全理念,強調(diào)了有效性:有效地防范、通行、疏散,同時還突出了建筑藝術(shù)的理念,強調(diào)門與建筑以及周圍環(huán)境整體的協(xié)調(diào)、
BUCK電路拓撲T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當時,T導(dǎo)通。 D:續(xù)流二極管。 L和C組成LPF。二、工作原理四、假設(shè)及參數(shù)計算 1.T,D均為理想器件 2.L較大,使得在一個周期內(nèi)電流連續(xù)且無內(nèi)阻 3.直流輸出電壓
電壓型單相半橋式整流電路一、主電路的結(jié)構(gòu) 1、倍壓電路:如果假定T1/T2始終處于關(guān)斷狀態(tài),則輸入電壓正半周期間D1/on,電容Cd1上直流電壓uc1近似等于輸入電源的峰值uNm;同理可知,電容Cd2上直流電壓uc2 近似等于