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CCD攝像模塊用4ch系統(tǒng)電源IC（ROHM）
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社(總部設(shè)在京都市)最近，針對廣泛采用CCD攝像機(jī)模塊的車載后視顯示器、數(shù)字AV設(shè)備、監(jiān)視攝像頭、PC周邊設(shè)備等產(chǎn)品,開發(fā)了單芯片4ch驅(qū)動時的電力效率達(dá)80%及高效率CCD相機(jī)模塊用4ch系統(tǒng)電源「
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基于集成芯片的ABS驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
引 言 ABS作為如今汽車上必備的安全電子設(shè)備，其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對制動器中輪缸壓力的精細(xì)調(diào)節(jié)，以防止過度制動使車輪抱死。由于ABS工作環(huán)境十分惡劣，為保證電磁閥
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自動調(diào)光LED手電筒電路設(shè)計(jì)
由于光輸出效率高和壽命長，高亮度LED非常適合用在手電筒中。典型的LED采用恒流驅(qū)動，因此當(dāng)電池電壓下降時，手電筒將停止工作。在某些情況下，這可能非常危險(xiǎn)。如果在電池電壓下降的情況下LED手電筒能自動調(diào)暗，那就
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上網(wǎng)本處理器電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸，內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須要和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。對當(dāng)今的高性能處理器而言,5年或10年以
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64
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高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流技術(shù)
為滿足這些需求，在上世紀(jì)90年代晚期開關(guān)電源設(shè)計(jì)師開始采用同步整流（SR）技術(shù)——使用MOSFET來替代常用二極管實(shí)現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整個系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點(diǎn)，并討論在其實(shí)現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)。
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IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
IGBT綜述 1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
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1W~500W LED通用照明解決方案選擇要素
不管是大功率的還是小功率的LED照明應(yīng)用，一般都由電源、LED驅(qū)動器、LED、透鏡和基板幾部分構(gòu)成，其中關(guān)鍵的元件是LED驅(qū)動器，它必須提供一個恒流輸出才能保證LED發(fā)出的光不會忽明忽暗、以及不會發(fā)生LED色偏現(xiàn)象，它
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對于變頻器的制動技術(shù)分析
一、引言 在通用變頻器、異步電動機(jī)和機(jī)械負(fù)載所組成的變頻調(diào)速傳統(tǒng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動機(jī)所傳動的位能負(fù)載下放時，電動機(jī)將可能處于再生發(fā)電制動狀態(tài)；或當(dāng)電動機(jī)從高速到低速（含停車）減速時，頻率可以突
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DC/DC功率變換器軟開關(guān)技術(shù)及Pspice仿真
本文介紹了軟開關(guān)變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關(guān)變換的優(yōu)點(diǎn)，對幾種典型的軟開關(guān)進(jìn)行了敘述和比較，并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果，最后提出了軟開關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢。
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通信用正激式DC/DC模塊電源設(shè)計(jì)
通信用DC/DC模塊電源功率級一般從幾瓦至幾十瓦，輸出電壓從幾伏至上百伏，對于幾十瓦的電源，一般以低壓大電流為主，有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等規(guī)格，效率一般在80％左右（具體視輸出電壓大?。Ｒ?yàn)槟K電源要求MTBF（平均無故障時間）1000000小時以上，所以要盡量避免使用電解電容，最好使用陶瓷電容。陶瓷電容容量不大，具有非常好的高頻特性。此外，DC/DC模塊電源的厚度要求小于12.7mm，所以對變壓器的要求高，磁芯必須具有扁平的形狀和在高頻情況下具有較小的損耗因子。
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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變頻器的電磁兼容與電磁干擾抑制
1 引言 隨著變頻器的小型化、多功能化和高性能化，尤其是控制手段的全數(shù)字化，變頻器的靈活性和適應(yīng)性在不斷增強(qiáng)。因此CONTROL ENGINEERING China版權(quán)所有，在現(xiàn)代工業(yè)中，變頻器的使用越來越廣泛。目前幾乎所
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半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)
通用測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏
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功率管理：用混合信號FPGA控制電壓攀升率
引言(混合信號FPGA控制多電平系統(tǒng)的電壓攀升率)：隨著工藝尺度不斷縮小，器件常常需要多個電源。為了減小功耗和最大限度地提高性能，器件的核心部分一般趨向于在低電壓下工作。為了與傳統(tǒng)的器件接口，或與現(xiàn)有的I/O標(biāo)
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