自旋轉移矩-磁隨機存儲器(STT-MRAM)是一種接近“萬能存儲器”的新型存儲器解決方案,極具應用潛力。它既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度,又具有閃存級別的容量,和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲,具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數(shù),已被一些國家列為最具應用前景的下一代存儲器之一。
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