基于 0. 18μm 工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款用于超高頻植入式 RFID 芯 片的 溫 度 傳 感 器 。該 溫 度 傳 感 器 將 MOS管 作 為感溫元件 ,采用基于亞閾值 MOS管的低功耗感溫核 心 。傳感器利用 PTAT 和 CTAT 兩種電壓延時(shí)器構(gòu)成脈寬產(chǎn)生電 路 ,從而生成脈寬信號(hào) ,并與時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC) 一起構(gòu)成溫度量化電路 。核心電路的版圖面積為 298μm×261μm,測(cè)溫范 圍 為 35~ 45 ℃ 。 流 片測(cè) 試 結(jié) 果 表 明 , 三 顆 芯 片在 兩 點(diǎn) 校 準(zhǔn) 后 的 測(cè) 溫 最 大 誤 差為 ± 0. 4 ℃ , 關(guān) 鍵 溫 區(qū) 的 最 大 誤 差為 ±0. 2 ℃ , 實(shí)測(cè)功耗為 623 nW 。基于流片實(shí)測(cè)結(jié)果 ,發(fā)現(xiàn)了當(dāng)前芯片的局限性 ,并提出 了 未來(lái)芯片結(jié)構(gòu)的改進(jìn)方向 。
90 年代出現(xiàn)的鋰電池是能源技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)重要的里程碑。和其它二次電池相比, 鋰電池具有更高的體積密度和能量密度, 因此在移動(dòng)電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理(Personal D igital A s