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氮化鎵（GaN）器件在低紋波電源中的應(yīng)用，高頻開關(guān)與低反向恢復(fù)損耗的協(xié)同優(yōu)勢
在低紋波電源設(shè)計領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)器件正以獨特的材料特性重塑技術(shù)邊界。其核心優(yōu)勢源于高頻開關(guān)能力與零反向恢復(fù)損耗的協(xié)同效應(yīng)，這一組合不僅突破了傳統(tǒng)硅基器件的物理極限，更在電源效率、體積優(yōu)化及信號純凈度方面展現(xiàn)出革命性突破。
在低紋波電源設(shè)計領(lǐng)域，氮化鎵(GaN)器件正以獨特的材料特性重塑技術(shù)邊界。其核心優(yōu)勢源于高頻開關(guān)能力與零反向恢復(fù)損耗的協(xié)同效應(yīng)，這一組合不僅突破了傳統(tǒng)硅基器件的物理極限，更在電源效率、體積優(yōu)化及信號純凈度方面展現(xiàn)出革命性突破。
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