摘要:介紹了一種配網終端電池智能檢測存儲裝置,其以可編輯控制器和控制電路為主體,以繼電器、觸摸屏、傳感器為輔助,可同時對鉛酸蓄電池、鋰電池兩種類型的電池進行電流/電壓監(jiān)測、浮充、核容、活化及儲存,操作簡便、界面整潔,一體化、智能化地解決了鉛酸蓄電池與鋰電池在日常維護和儲存中存在的難題。
北京時間7月21日凌晨消息,蘋果今日向iPhone用戶推送了iOS 15.6更新,本次更新距離上次發(fā)布隔了65天。iOS 15.6大小525M,修復了設備仍有儲存空間可用時,“設置”中也可能一直會顯示儲存空間已滿的問題。
科學家正在努力,希望開發(fā)出下一代數據存儲材料,以提高現有存儲速度。 據英國《自然·物理學》雜志近日發(fā)表的一項研究,一個美國聯合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維(2D)金屬芯片,其厚度僅三個原子,其可
12月11日消息,據國外媒體報道,國際半導體設備與材料協(xié)會(SEMI)今日發(fā)布預測報告稱,全球半導體設備銷售額明年將重回增長,2021年將創(chuàng)新高。 SEMI預測,全球半導體設備2019年銷售額將比上
看好高階儲存市場 全新3D NAND TLC SSD效能倍增 新一代閃存3TS5-P,主打DWPD2規(guī)格,首推高階儲存市場
為實現更高儲存密度,NAND Flash的堆棧層數不斷增加,單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層,這是接下來一段時間內的市場主流。
內存技術的每一次創(chuàng)新都源于基礎研究。IBM Research的研究團隊最近開發(fā)出一種新技術,能夠控制單個銅原子的磁性,從而為以單個原子核進行儲存和處理信息的未來鋪路。不過,該技術要能實現商業(yè)化還有很長的路要走。
聯華電子表示,聯華電子的DRAM技術基礎里的元件設計,是完全不同于美光公司的設計。簡而言之,聯華電子開發(fā)的記憶胞架構是3x2布局的儲存單元,這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。這和美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象相反。
目前最廣泛使用的數字儲存裝置是硬盤(HDD),但它受歡迎的程度正迅速下滑…數字數據儲存正歷經強大的成長態(tài)勢,2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆
韓國三星電子決定進一步投資半導體業(yè)務。 三星宣布向韓國2個工廠投資總額約2萬億日元,增產智能手機等終端使用的記憶卡。 三星不久前在中國也敲定了大型投資計劃。 在東芝因經營問題陷入混亂的背景下,三星將通過巨額投資擴大與競爭對手的差距,鞏固半導體領域的領跑地位。