單片機(jī)是如何儲存的呢？

一種配網(wǎng)終端電池智能檢測存儲裝置的探索與研究

摘要:介紹了一種配網(wǎng)終端電池智能檢測存儲裝置,其以可編輯控制器和控制電路為主體,以繼電器、觸摸屏、傳感器為輔助,可同時對鉛酸蓄電池、鋰電池兩種類型的電池進(jìn)行電流/電壓監(jiān)測、浮充、核容、活化及儲存,操作簡便、界面整潔,一體化、智能化地解決了鉛酸蓄電池與鋰電池在日常維護(hù)和儲存中存在的難題。

時隔65天，蘋果向iPhone用戶再次推送了iOS 15.6更新

北京時間7月21日凌晨消息，蘋果今日向iPhone用戶推送了iOS 15.6更新，本次更新距離上次發(fā)布隔了65天。iOS 15.6大小525M，修復(fù)了設(shè)備仍有儲存空間可用時，“設(shè)置”中也可能一直會顯示儲存空間已滿的問題。

科學(xué)家研制2D金屬芯片：讓儲存速度提高100倍

科學(xué)家正在努力，希望開發(fā)出下一代數(shù)據(jù)存儲材料，以提高現(xiàn)有存儲速度。 據(jù)英國《自然·物理學(xué)》雜志近日發(fā)表的一項(xiàng)研究，一個美國聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個原子，其可

報(bào)告：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額2021年將創(chuàng)新高 達(dá)668億美元

12月11日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會（SEMI）今日發(fā)布預(yù)測報(bào)告稱，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額明年將重回增長，2021年將創(chuàng)新高。 SEMI預(yù)測，全球半導(dǎo)體設(shè)備2019年銷售額將比上

宜鼎打造工控SSD超凡規(guī)格

看好高階儲存市場 全新3D NAND TLC SSD效能倍增 新一代閃存3TS5-P，主打DWPD2規(guī)格，首推高階儲存市場

SK海力士出貨96層3D NAND量產(chǎn)

為實(shí)現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。目前3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層，這是接下來一段時間內(nèi)的市場主流。

內(nèi)存技術(shù)有望革新？研究人員開發(fā)出單個銅原子磁性內(nèi)存技術(shù)！

內(nèi)存技術(shù)的每一次創(chuàng)新都源于基礎(chǔ)研究。IBM Research的研究團(tuán)隊(duì)最近開發(fā)出一種新技術(shù)，能夠控制單個銅原子的磁性，從而為以單個原子核進(jìn)行儲存和處理信息的未來鋪路。不過，該技術(shù)要能實(shí)現(xiàn)商業(yè)化還有很長的路要走。

聯(lián)電再度發(fā)澄清聲明：和美光DRAM技術(shù)完全不同

聯(lián)華電子表示，聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的元件設(shè)計(jì)，是完全不同于美光公司的設(shè)計(jì)。簡而言之，聯(lián)華電子開發(fā)的記憶胞架構(gòu)是3x2布局的儲存單元，這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。這和美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象相反。

詳解存儲器和儲存的概念區(qū)別

目前最廣泛使用的數(shù)字儲存裝置是硬盤(HDD)，但它受歡迎的程度正迅速下滑…數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)儲存正歷經(jīng)強(qiáng)大的成長態(tài)勢，2016年即已增加到超過10,000艾位元組(Exabyte;EB)或10皆

三星研制出的96層芯片，將會對東芝產(chǎn)生什么樣的影響？

韓國三星電子決定進(jìn)一步投資半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。 三星宣布向韓國2個工廠投資總額約2萬億日元，增產(chǎn)智能手機(jī)等終端使用的記憶卡。 三星不久前在中國也敲定了大型投資計(jì)劃。 在東芝因經(jīng)營問題陷入混亂的背景下，三星將通過巨額投資擴(kuò)大與競爭對手的差距，鞏固半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)跑地位。