-
助力高級光刻技術：存儲和運輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)
隨著半導體行業(yè)持續(xù)突破設計尺寸不斷縮小的極限，極紫外(EUV)光刻技術的運用逐漸擴展到大規(guī)模生產環(huán)境中。對于7納米及更小的高級節(jié)點，EUV光刻技術是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術。要在如此精細的尺寸下進行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
隨著半導體行業(yè)持續(xù)突破設計尺寸不斷縮小的極限，極紫外(EUV)光刻技術的運用逐漸擴展到大規(guī)模生產環(huán)境中。對于7納米及更小的高級節(jié)點，EUV光刻技術是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術。要在如此精細的尺寸下進行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號：京ICP證070360號 21IC電子網(wǎng) 2000- 版權所有 用戶舉報窗口（ 郵箱：macysun@21ic.com 電話：010-82165003 ）
