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顛覆性革新的數(shù)字隔離器技術(shù)，如何助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展?
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，數(shù)字隔離器作為實(shí)現(xiàn)電氣隔離狀態(tài)下信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力能源、通信網(wǎng)絡(luò)、儀器儀表以及消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域。它如同電子系統(tǒng)中的 “安全衛(wèi)士”，確保不同電路間信號(hào)的可靠傳輸，同時(shí)防止電氣干擾與危險(xiǎn)電流的傳導(dǎo)。早期的數(shù)字隔離器以光耦為代表，借助 “電-光-電” 轉(zhuǎn)換原理達(dá)成信號(hào)的隔離傳輸。然而，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，在面對(duì)低功耗、高性能、高可靠性等嚴(yán)苛場(chǎng)景時(shí)，光耦逐漸暴露出功耗大、速率低、壽命短等弊端。于是，研發(fā)高傳輸速率、低功耗、高可靠性、小體積且高集成度的數(shù)字隔離器技術(shù)，成為了行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。
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我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)取得突破
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
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