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DDR內(nèi)存電源該如何設(shè)計(jì)？
現(xiàn)如今，DDR 電源面臨的一個(gè)巨大挑戰(zhàn)是在高瞬態(tài)負(fù)載極端情況下如何控制輸出電壓，CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。
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