碳化硅(SiC)功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作,從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本文將介紹優(yōu)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與元器件選型。
泰克全棧式電源測試解決方案來襲,讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(8)
零基礎(chǔ)電路學(xué)(上部)
ARM開發(fā)進(jìn)階:深入理解調(diào)試原理
商用 c++經(jīng)驗(yàn)總結(jié)(入門套路)
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯(cuò)誤 其它
本站介紹 | 申請(qǐng)友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號(hào):京ICP證070360號(hào) 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報(bào)窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號(hào)