電子產(chǎn)品可靠性試驗(yàn)的方法及分類
可靠性測試就是為了評估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi),在預(yù)期的使用、運(yùn)輸或儲存等所有環(huán)境下,保持功能可靠性而進(jìn)行的活動(dòng)。
我們距離完全的自給自足還有一段距離,需要再加把勁才行。 6月份的308億顆產(chǎn)量比2020年同期增長了43.9%,同時(shí),2021年前6個(gè)月,我們一共生產(chǎn)了1712億個(gè)芯片,同比增長48.1%。
1 反復(fù)短路測試 測試說明 在各種輸入和輸出狀態(tài)下將模塊輸出短路,模塊應(yīng)能實(shí)現(xiàn)保護(hù)或回縮,反復(fù)多次短路,故障排除后,模塊應(yīng)該能自動(dòng)恢復(fù)正常運(yùn)行?! y試方
引言 硅片級可靠性(WLR)測試最早是為了實(shí)現(xiàn)內(nèi)建(BIR)可靠性而提出的一種測試手段。硅片級可靠性測試的最本質(zhì)的特征就是它的快速,因此,近年來它被越來越多得用于工藝開發(fā)階段。工藝工程師
作為光源中的新興力量,led的發(fā)光方式與傳統(tǒng)光源截然不同。它是利用半導(dǎo)體PN節(jié)中的電子與空穴的復(fù)合來發(fā)光。發(fā)光方式的不同決定了LED與傳統(tǒng)光源有著本質(zhì)的區(qū)別,也決定了它有自己獨(dú)特之處。 首
1. 如可靠性測試以環(huán)境條件來劃分,可分為包括各種應(yīng)力條件下的模擬試驗(yàn)和現(xiàn)場試驗(yàn);2. 可靠性試驗(yàn)以試驗(yàn)項(xiàng)目劃分,可分為環(huán)境試驗(yàn)、壽命試驗(yàn)、加速試驗(yàn)和各種特殊試驗(yàn);3.可靠性試驗(yàn)室若按試驗(yàn)?zāi)康膩韯澐郑瑒t可分為篩選
一款新產(chǎn)品的推出都要經(jīng)歷很多階段,其中最關(guān)鍵的部分可能要數(shù)設(shè)計(jì)研發(fā)階段了。新的產(chǎn)品理念的提出到試品的出現(xiàn),可謂是從無到有的過程。在整個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)階段,工程師們需要通過很多手段使產(chǎn)品的種種缺陷提早暴露
宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報(bào)告,展示出在累計(jì)超過170億器件-小時(shí)的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果,以及提供在累計(jì)超過700萬器件-小時(shí)的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報(bào)告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)值與我們直至目前為止所取得的現(xiàn)場評估的結(jié)果是一致的,證明在商業(yè)化的功率開關(guān)應(yīng)用中,eGaN FET已經(jīng)準(zhǔn)備好可以替代日益老化的等效硅基器件。