隨著集成電路技術持續(xù)向更小尺寸、更高集成度發(fā)展,天線效應已成為影響芯片性能與可靠性的關鍵因素。在芯片制造過程中,特定工藝步驟會產(chǎn)生游離電荷,而暴露的金屬線或多晶硅等導體宛如天線,會收集這些電荷,致使電位升高。若這些導體連接至 MOS 管的柵極,過高電壓可能擊穿薄柵氧化層,導致電路失效。因此,深入理解并有效減少天線效應,對提升集成電路性能與可靠性至關重要。
如摩爾定律所述,數(shù)十年來,集成電路的密度和性能迅猛增長。眾所周知,這種高速增長的趨勢總有一天會結束,人們只是不知道當這一刻來臨時,集成電路的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發(fā)展,集成電路密度不