此次合作將利用雙方的協(xié)同優(yōu)勢進(jìn)一步提升碳化硅(SiC)技術(shù)
盡管寬禁帶器件近年來已經(jīng)開始進(jìn)入商業(yè)市場,但其封裝設(shè)計(jì)尚未成熟,尤其是在高溫高壓應(yīng)用方面。在本文中,將介紹為此目的而制造的 5 kV 雙面冷卻 GaN 功率模塊(作為由高級(jí)研究計(jì)劃署 - 能源資助的研究的一部分)。
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