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Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商
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英飛凌在PCIM Europe 2023以創(chuàng)新的半導體解決方案推動低碳化和數(shù)字化，助力實現(xiàn)更綠色的未來
【2023 年 4 月 26日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）提供CoolSiC?以及CoolGaN?等電源解決方案，可提升能源效率。這使其成為可持續(xù)設計的關鍵和能源轉型的重要基石。在PCIM Europe 2023上，英飛凌將展示其功率半導體和寬禁帶技術方面的最新解決方案如何為當前的綠色和數(shù)字轉型挑戰(zhàn)提供方案。英飛凌將以“推動低碳化和數(shù)字化”為主旨，進行大量演示、現(xiàn)場技術講座，并提供與專家討論設計挑戰(zhàn)的機會。另外，業(yè)內(nèi)人士也可以注冊英飛凌線上平臺，該平臺將從4月27日起全天候開放。
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安森美半導體寬禁帶技術――支持大趨勢應用
使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導體技術正在興起，為重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC和電動汽車車載充電器以及太陽能、不間斷電源和服務器電源帶來顯著的好處和增強的可靠性。
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安森美推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長的應用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢
安森美半導體新的SiC MOSFET另一獨特的優(yōu)勢是具有專利的終端結構，增加了可靠性和強固性，并增強了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設計用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強固的短路保護。
