使用高端N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)的熱插拔器件在啟動(dòng)和限流期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。雖然這不是新問(wèn)題,但數(shù)據(jù)手冊(cè)通常缺少解決方案的詳細(xì)信息。如果不了解基本原理,只是添加一個(gè)小柵極電阻進(jìn)行簡(jiǎn)單修復(fù),可能會(huì)導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生振蕩的理論,并為正確實(shí)施解決方案提供指導(dǎo)。
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