最近我自己在做一款射頻功放。做出來也就是一款產(chǎn)品了。談到功放,大家都不陌生,就是把信號(hào)放大最后經(jīng)過天線發(fā)射出去,但是目前射頻這一塊,把功放單獨(dú)拿出來算是一個(gè)類目,功放說起來很簡(jiǎn)單,但是做起來要考慮的事
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu),使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能,銳迪科的RDA6218就是采用這種結(jié)構(gòu)。射頻功率放大器管芯由原來的兩個(gè)減
去年年中,漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U),截止到2014年2月底前近9個(gè)月的時(shí)間累計(jì)出貨量已經(jīng)超過1億顆!經(jīng)過了近一年的市場(chǎng)嚴(yán)酷考驗(yàn),HS8292(U)/HS8
標(biāo)簽:射頻電路 模糊邏輯隨著通信技術(shù)的發(fā)展,射頻電路在通信系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。功率放大器的研究和設(shè)計(jì)一直是通信發(fā)展中的重要課題。近年來,基于模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的射頻器件和電路建模的研究取得了巨大的成果,
現(xiàn)代通信技術(shù)發(fā)展過程中,射頻技術(shù)是重要的研究?jī)?nèi)容之一?!耙?G為代表的無線通信將成為下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn),而射頻是最薄弱的環(huán)節(jié),因此也最有發(fā)展前景?!毙就萍糃EO李睿2006年接受媒體采訪時(shí)對(duì)射頻產(chǎn)業(yè)前景做出如此判斷
“芯通科技與TI的合作屬于一見鐘情,并很快進(jìn)入狀態(tài)。三年的時(shí)間內(nèi),我們之間的合作無論從深度、廣度上都發(fā)展得很不錯(cuò)。能獲得今天的合作局面,除了TI領(lǐng)先的產(chǎn)品與技術(shù)外,還有TI公司Saels和FAE在商務(wù)和技術(shù)上鍥而不
近日,江蘇博納雨田通信電子有限公司研制出北斗系統(tǒng)上的新一代核心部件接收發(fā)射芯片和射頻功放芯片,產(chǎn)品性能更高、體積更小,標(biāo)志著我國(guó)北斗產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)向更高水平邁進(jìn)。博納雨田的銷售副總經(jīng)理趙偉告訴記者,一般
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個(gè)射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)中心正式落戶上海。9月28日,恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺(tái)
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個(gè)射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)中心正式落戶上海。9月28日,恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺(tái)
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個(gè)射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺(tái)部部
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個(gè)射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺(tái)部部
摘要:介紹了超短波通信電臺(tái)射頻功放功率保護(hù)控制電路的功用和工作原理,并給出了原理電路?! ‖F(xiàn)代軍用、民用超短波通信電臺(tái),為了滿足其通信距離遠(yuǎn)的要求,其射頻功率輸出大,射頻功放一般工作在大電流、高功
O 引言 隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中,利用MOS管的開關(guān)特性,可使整個(gè)射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài),從而提高整機(jī)效
O 引言 隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中,利用MOS管的開關(guān)特性,可使整個(gè)射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài),從而提高整機(jī)效
引言 駐波比(VSWR)是用來測(cè)量射頻電路中阻抗失配度的指標(biāo)。駐波比過大會(huì)將會(huì)影響通信距離,降低信息傳輸?shù)馁|(zhì)量,并且會(huì)導(dǎo)致射頻電路出現(xiàn)一系列問題。位于天線前端的功率放大器是對(duì)駐波惡化最為敏感的部件,反
按照系統(tǒng)指標(biāo)要求,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種可用于數(shù)字電視發(fā)射機(jī)的75 W大功率的功放模塊。