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尖端技術(shù)突破：全球第一座“氮化鎵芯片”生產(chǎn)基地
中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產(chǎn)，已經(jīng)建立了生產(chǎn)線，并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。
中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產(chǎn)，已經(jīng)建立了生產(chǎn)線，并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產(chǎn)。
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