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帶電粒子的測量與探測器的基本類型
ORTEC帶電粒子硅探測器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，耗盡層厚度從10微米到幾個毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又分為諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測器，除應(yīng)用本身外，應(yīng)綜合權(quán)衡耗盡層厚度、結(jié)電
ORTEC帶電粒子硅探測器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，耗盡層厚度從10微米到幾個毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又分為諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測器，除應(yīng)用本身外，應(yīng)綜合權(quán)衡耗盡層厚度、結(jié)電
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