摘 要:為了消除由于晶體管不匹配產(chǎn)生的隨機失調(diào)對帶隙基準源精度的影響,設(shè)計了一種采用斬波調(diào)制技術(shù)的帶隙基準電壓源。該方法采用對稱性O(shè)TA的結(jié)構(gòu)來減小帶隙基準電壓源的系統(tǒng)失調(diào),并利用帶隙基準核心電路中的與絕對溫度成正比(PTAT)的電流源為OTA提供自適應(yīng)偏置,從而較小了整個電路的功耗。通過基于0.35 μm CMOS工藝并使用CadenceSpectre工具對電路進行仿真,結(jié)果表明:斬波頻率為100 Hz時,基準電壓在室溫(27 ℃)的輸出為1.232 V,該帶隙基準的供電電壓的范圍為1.4~3 V;在電壓為3 V時,在-40~125 ℃溫度范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為24.6 ppm/℃。