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VLT技術(shù)顛覆傳統(tǒng)DRAM結(jié)構(gòu)
DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡單高效，每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管另加一個(gè)電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此電容必須被周期性的刷新，這也是DRAM的一大特點(diǎn)。而且電容的充放電需要一個(gè)過
DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡單高效，每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管另加一個(gè)電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此電容必須被周期性的刷新，這也是DRAM的一大特點(diǎn)。而且電容的充放電需要一個(gè)過
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