-
光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)
半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精確的電磁場(chǎng)(EMF)模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(chǎng)(照明)條件下，用合適的數(shù)值方法解麥克斯韋方程組。
半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精確的電磁場(chǎng)(EMF)模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(chǎng)(照明)條件下，用合適的數(shù)值方法解麥克斯韋方程組。
本站介紹 | 申請(qǐng)友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠(chéng)聘英才
ICP許可證號(hào)：京ICP證070360號(hào) 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報(bào)窗口（ 郵箱：macysun@21ic.com ）
