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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術(shù)
1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
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1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀(jì)80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。然而，由于半導(dǎo)體器件本身的材料和結(jié)構(gòu)原因，IG
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