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三星發(fā)現(xiàn)全新半導(dǎo)體材料：內(nèi)存、閃存迎來革命
三星電子宣布，三星先進(jìn)技術(shù)研究院(SAIT)聯(lián)合蔚山國家科學(xué)技術(shù)院(UNIST)、英國劍橋大學(xué)，發(fā)現(xiàn)了一種全新的半導(dǎo)體材料“無定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，簡稱a-B
三星電子宣布，三星先進(jìn)技術(shù)研究院(SAIT)聯(lián)合蔚山國家科學(xué)技術(shù)院(UNIST)、英國劍橋大學(xué)，發(fā)現(xiàn)了一種全新的半導(dǎo)體材料“無定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，簡稱a-B
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