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泛林半導體設備技術(shù)

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  • 加速特征相關(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展

    在干法刻蝕中，由于與氣體分子的碰撞和其他隨機熱效應，加速離子的軌跡是不均勻且不垂直的(圖1)。這會對刻蝕結(jié)果有所影響，因為晶圓上任何一點的刻蝕速率將根據(jù)大體積腔室可見的立體角和該角度范圍內(nèi)的離子通量而變化。這些不均勻且特征相關的刻蝕速率使半導體工藝設計過程中刻蝕配方的研發(fā)愈發(fā)復雜。在本文中，我們將論述如何通過在SEMulator3D?中使用可視性刻蝕建模來彌補干法刻蝕這一方面的不足。