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第三代半導體火爆下的爛尾隱憂及國內(nèi)外技術(shù)差距的認知偏差
近年來，第三代半導體因其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應用前景，迅速成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點。這類半導體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)，在電力電子、光電子和無線射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力。尤其是在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電等領(lǐng)域，第三代半導體正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基半導體，成為新一代的技術(shù)核心。然而，在這一片火熱的背后，隱藏著諸多爛尾項目的隱憂以及國內(nèi)外技術(shù)差距的認知偏差。
