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電力電子應用

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  • 寬帶隙技術：21世紀電力電子應用的新規(guī)范

    在過去的二十年中，研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了實驗，這些材料顯示出巨大的潛力來替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體應用中的現(xiàn)有硅材料技術。在新世紀即將來臨之際，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)達到了足夠的成熟度并獲得了足夠的吸引力，從而拋棄了其他潛在的替代方法，并得到了全球工業(yè)制造商的足夠關注。