摘要:半橋功率級(jí)是電力電子系統(tǒng)中的基本開(kāi)關(guān)單元,應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類(lèi)功率放大器等電路設(shè)計(jì)中。本文介紹了一種系統(tǒng)方法,該方法利用預(yù)充電驅(qū)動(dòng)電源方案和欠壓鎖定(UVLO)機(jī)制的控制策略,確保半橋電路中高邊和低邊開(kāi)關(guān)的同步性。傳統(tǒng)的基于自舉電源的半橋驅(qū)動(dòng)存在固有局限性,包括高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器之間電源的不對(duì)稱(chēng)性,這會(huì)破壞開(kāi)關(guān)的同步性和開(kāi)關(guān)管的工作特性。本文通過(guò)詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)和SPICE仿真驗(yàn)證了該方法在改善開(kāi)關(guān)同步性和可靠性方面的有效性,特別是對(duì)于GaN和SiC晶體管這種對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓范圍要求比較高的驅(qū)動(dòng)更有應(yīng)用意義。
在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為核心開(kāi)關(guān)器件,其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計(jì),功率器件失效案例中,MOSFET占比超過(guò)40%,主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從物理機(jī)制出發(fā),系統(tǒng)分析MOSFET的典型失效模式,并提出針對(duì)性的預(yù)防策略,為高可靠性設(shè)計(jì)提供理論支撐。
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,開(kāi)關(guān)電源以其高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)電源在輕載條件下的效率下降問(wèn)題一直備受關(guān)注。本文將深入探討開(kāi)關(guān)電源在輕載條件下效率下降的原因,并提出相應(yīng)的改善方案,包括可能的電路修改和控制策略調(diào)整。
現(xiàn)代電力電子器件需要盡可能實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率,這也促使器件的功率密度不斷提高。然而,一旦發(fā)生短路故障,就會(huì)對(duì)高價(jià)值系統(tǒng)構(gòu)成威脅。
新聞要點(diǎn).NI Single-Board RIO通用逆變器控制器 (General Purpose Inverter Controller, GPIC) 提供個(gè)了一個(gè)革命性的新型嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法,以實(shí)現(xiàn)高性能的、現(xiàn)場(chǎng)可重配置的能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)控制器的快速部署。. 高級(jí)的
NI基于FPGA的控制系統(tǒng)為智能電網(wǎng)電力電子系統(tǒng)帶來(lái)革新
摘 要:新型能源的應(yīng)用正日益廣泛地用作傳統(tǒng)大型中心電站的補(bǔ)充和替代。本文闡述了關(guān)于風(fēng)能發(fā)電的現(xiàn)狀和在未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),同時(shí)闡述了關(guān)于電力電子技術(shù)在風(fēng)能發(fā)電中的諸多應(yīng)用以及在未來(lái)的發(fā)展前景。關(guān)鍵詞:電力電子
摘 要:新型能源的應(yīng)用正日益廣泛地用作傳統(tǒng)大型中心電站的補(bǔ)充和替代。本文闡述了關(guān)于風(fēng)能發(fā)電的現(xiàn)狀和在未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),同時(shí)闡述了關(guān)于電力電子技術(shù)在風(fēng)能發(fā)電中的諸多應(yīng)用以及在未來(lái)的發(fā)展前景。關(guān)鍵詞:電力電子
筆者獲悉,由海歸創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才創(chuàng)辦的江蘇宏微科技有限公司,日前在常州國(guó)家高新區(qū)正式發(fā)布其最新研發(fā)成果——?jiǎng)討B(tài)節(jié)能照明電源系列產(chǎn)品,由中國(guó)電源學(xué)會(huì)照明電源專(zhuān)業(yè)委員會(huì)為專(zhuān)家組的鑒定委員會(huì)鑒定該產(chǎn)品為“國(guó)內(nèi)首