芯片設(shè)計(jì)問(wèn)題須知及設(shè)計(jì)策略

電流密度過(guò)高導(dǎo)致金屬原子逐漸置換，這時(shí)就會(huì)產(chǎn)生電子遷移問(wèn)題。當(dāng)很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)在同一個(gè)方向有過(guò)多電流流過(guò)時(shí)，在互連線(xiàn)上會(huì)開(kāi)始形成空洞(Void，原子耗盡時(shí)出現(xiàn))和小丘(hillock，原子積聚時(shí)產(chǎn)生)。足夠多的原子被置換后，會(huì)產(chǎn)生斷路或短路。當(dāng)小丘觸及鄰近的互連線(xiàn)時(shí)，短路出現(xiàn)，從而引起芯片失效。