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國產化疊層電容工藝的失效機理與可靠性研究
通過對國產運算放大器的一項失效分析研究,揭示了由于工藝變更引起的疊層 MIS電容短路是導致器件失效的主要原因。在低電場條件下,電容表現(xiàn)正常,但在高電場條件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效應,熱電子碰撞引發(fā)的缺陷積累最終導致了電容的短路失效。通過 Sentaurus TCAD 仿真分析,驗證了界面摻雜原子濃度差異對氧化層生長速率的影響,并提出了相應的工藝改進建議,進而提升國產芯片的可靠性。
通過對國產運算放大器的一項失效分析研究,揭示了由于工藝變更引起的疊層 MIS電容短路是導致器件失效的主要原因。在低電場條件下,電容表現(xiàn)正常,但在高電場條件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效應,熱電子碰撞引發(fā)的缺陷積累最終導致了電容的短路失效。通過 Sentaurus TCAD 仿真分析,驗證了界面摻雜原子濃度差異對氧化層生長速率的影響,并提出了相應的工藝改進建議,進而提升國產芯片的可靠性。
