3D IC電源完整性多物理場耦合：電磁-熱應力協(xié)同仿真與壓降優(yōu)化 摘要

隨著3D IC技術向10nm以下先進制程與HBM3/3E堆疊演進，電源完整性（Power Integrity, PI）面臨電磁干擾（EMI）、熱應力耦合、IR壓降等復雜挑戰(zhàn)。本文提出一種電磁-熱應力多物理場協(xié)同仿真框架，通過構建熱-電-力耦合模型，實現3D IC中TSV（硅通孔）、微凸塊（Microbump）及RDL（再分布層）的壓降精準預測與動態(tài)優(yōu)化。實驗表明，該框架使3D IC電源網絡壓降預測誤差降低至3.2%，熱應力導致的TSV電阻漂移減少68%，為高密度集成芯片的可靠性設計提供關鍵技術支撐。