Flash存儲(chǔ)器,也稱為閃存存儲(chǔ)器,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在設(shè)備斷電后仍然能夠保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。它的名稱來源于一種稱為“閃存技術(shù)”的特殊電子存儲(chǔ)技術(shù)。Flash存儲(chǔ)器的基本工作原理是通過多層存儲(chǔ)單元的電荷累積和流動(dòng)來存儲(chǔ)和擦除數(shù)據(jù)。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)FET(場效應(yīng)晶體管)和一個(gè)電荷貯存器組成,電荷貯存器內(nèi)累積的電荷表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)的不同狀態(tài),通常是0和1。當(dāng)需要修改某個(gè)存儲(chǔ)單元的值時(shí),F(xiàn)lash存儲(chǔ)器可以通過向其中注入或者釋放電荷來改變其電荷狀態(tài)。