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在高頻直流—直流轉換器內使用650V碳化硅MOSFET的好處
本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大。
本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大。
