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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復與開關振鈴的協(xié)同抑制
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開關過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復電流及開關振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關鍵瓶頸。本文從器件物理機制出發(fā)，結合工程實踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復與開關振鈴的協(xié)同抑制策略。
