硅壓阻式壓力傳感器的零點(diǎn)溫度漂移和靈敏度溫度漂移是影響傳感器性能的主要因素之一,如何能使該類誤差得到有效補(bǔ)償對(duì)于提高其性能很有意義。通過對(duì)硅壓阻式壓力傳感器建立高階溫度補(bǔ)償模型進(jìn)行溫度誤差補(bǔ)償是一種有效的方法,并在該模型基礎(chǔ)上給出了擬合系數(shù)計(jì)算方法,并用Matlab GUI軟件來實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償系數(shù)計(jì)算,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)傳感器輸出的動(dòng)態(tài)溫補(bǔ),達(dá)到了很好的輸出線性性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,補(bǔ)償后傳感器輸出的非線性誤差小于0.5% F.S.
目前的MEMS壓力傳感器有硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器,兩者都是在硅片上生成的微機(jī)械電子傳感器。硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測(cè)量電路的,具有較高的測(cè)量
MEMS主要包括微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應(yīng)的處理電路等幾部分,它是在融合多種微細(xì)加工技術(shù),并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)的最新成果的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的高科技前沿學(xué)科。MEMS技術(shù)的發(fā)展開辟了一個(gè)全新的技術(shù)領(lǐng)域和
MEMS主要包括微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應(yīng)的處理電路等幾部分,它是在融合多種微細(xì)加工技術(shù),并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)的最新成果的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的高科技前沿學(xué)科。MEMS技術(shù)的發(fā)展開辟了一個(gè)全新的技術(shù)領(lǐng)域和
MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)。 MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路(IC)設(shè)計(jì)技術(shù)和制造工藝,進(jìn)行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)