相較于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的組件性能優(yōu)勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模,主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
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產(chǎn)品EMC接地設(shè)計要點
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PID算法
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