碳化硅(SiC)器件憑借開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗小,效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅器件。同時(shí),由于SiC工作在更高的頻率,其外圍電容電感尺寸大幅縮小,器件模塊尺寸僅為硅器件的1/5或更低。SiC器件耐高溫、耐電壓和大電流特性,非常適合電動(dòng)汽車(chē)、車(chē)用充電器和火車(chē)逆變器等新興應(yīng)用。
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