-
超低損耗碳氫化合物材料評測：松下M6S vs 羅杰斯RO1200的Dk/Df頻變模型
在高速高頻電子電路領域，材料的選擇對電路性能起著決定性作用。超低損耗碳氫化合物材料因其優(yōu)異的電氣性能，如低介電常數(shù)（Dk）和低損耗因子（Df），被廣泛應用于微波、毫米波電路以及高速數(shù)字電路中。松下M6S和羅杰斯RO1200是兩款備受關注的超低損耗碳氫化合物材料。本文將深入評測這兩款材料的Dk/Df頻變特性，建立頻變模型，并通過代碼進行模擬分析，為電路設計者提供有價值的參考。
在高速高頻電子電路領域，材料的選擇對電路性能起著決定性作用。超低損耗碳氫化合物材料因其優(yōu)異的電氣性能，如低介電常數(shù)（Dk）和低損耗因子（Df），被廣泛應用于微波、毫米波電路以及高速數(shù)字電路中。松下M6S和羅杰斯RO1200是兩款備受關注的超低損耗碳氫化合物材料。本文將深入評測這兩款材料的Dk/Df頻變特性，建立頻變模型，并通過代碼進行模擬分析，為電路設計者提供有價值的參考。
