磷化銦(InP)的高電場電子漂移速度比砷化鎵(GaAs)高,適合制造高速高頻器件。此外,InP的熱導(dǎo)率、太陽能轉(zhuǎn)換效率、抗輻射特性等均優(yōu)于GaAs,適合制造集成電路、太陽能電池等,目前主要被用于光纖、毫米波和無線領(lǐng)域。是
我與貿(mào)澤不得不說的秘密,如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意?
javascript運(yùn)動(dòng)基礎(chǔ)
ARM裸機(jī)第一部分-ARM那些你得知道的事兒
野火F103開發(fā)板-MINI教學(xué)視頻(提高篇)
深度剖析 C 語言 結(jié)構(gòu)體/聯(lián)合/枚舉/位域:鉑金十三講 之 (13)
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯(cuò)誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21IC電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報(bào)窗口( 郵箱:macysun@21ic.com 電話:010-82165003 )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號