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為什么碳化硅 MOSFET 特別需要米勒鉗位?
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能，如高開關(guān)速度、低導通電阻、高耐壓能力等，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。然而，正是由于這些獨特的性能特點，使得碳化硅 MOSFET 在實際應用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn)，其中米勒效應帶來的影響尤為突出，這也使得米勒鉗位對于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
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MOS管的米勒效應：深入解析與影響
在半導體技術(shù)的廣闊領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管作為集成電路中的核心元件，其性能的穩(wěn)定性和效率直接關(guān)系到整個電路系統(tǒng)的表現(xiàn)。而MOS管的一個獨特現(xiàn)象——米勒效應（Miller Effect），更是引起了工程師們的廣泛關(guān)注和研究。本文將深入探討MOS管的米勒效應，解析其產(chǎn)生機制、影響以及在實際應用中的應對策略。
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MOS管開關(guān)時的米勒效應的影響與解決方法
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs上升，則導通電阻下降，從而Vds下降)。
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