臺積電持續(xù)提升先進制程技術(shù),7納米制程預計第1季試產(chǎn),明年開始量產(chǎn),今年資本支出將維持100億美元新高規(guī)模,尤其今年研發(fā)支出將增加15%。
臺積電針對16納米FinFET制程開發(fā)進入第四代,統(tǒng)稱為12納米制程技術(shù),力旺開始配合12納米開發(fā)相關(guān)的NeoFuse IP,繼16納米精簡版FinFET制程后,臺積電和力旺在先進制程上再度合作。
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