21ic訊 IDT®公司 (Integrated Device Technology) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。通過提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸
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