耗盡型模擬開關(guān)：無電源也能高性能連接

增強型FET用于當(dāng)今絕大多數(shù)電子產(chǎn)品中，工作模式基于簡單的概念?？紤]到增強型NFET采用共源極結(jié)構(gòu)(圖1，左)-當(dāng)門極與源在相同的電勢，漏源極之間的溝道電阻很高，我們認(rèn)為晶體管是‘關(guān)斷’的。這些FET需要一個正的門極到源電壓，以導(dǎo)通溝道，并在漏源極之間傳導(dǎo)。當(dāng)沒有完全飽和時，這些FET的溝道電阻會有很大的變化。這可能導(dǎo)致模擬信號的問題，需要在整個信號幅度范圍的低失真。此外，當(dāng)采用增強型FET的模擬開關(guān)失去電源時，其狀態(tài)是不確定的;它不會很好地傳導(dǎo)，很可能也不會很好地隔離信號。