改良西門子法生產(chǎn)多晶硅工藝設計中大致細分為以下幾個工序:H2制備與凈化、HCl合成、SiHCl3合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、SiHCl3氫還原、還原尾氣干法分離、SiCl4氫化、氫化氣干法分離、硅芯制備及產(chǎn)品整理、廢氣及殘液處理等。
泰克全棧式電源測試解決方案來襲,讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
何呈—手把手教你學ARM之LPC2148(上)
宋老師手把手教你學單片機
PCB電路設計從入門到精通二
H5進階-PS設計
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號