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電磁兼容設(shè)計(jì)的反向思維，利用輻射發(fā)射測(cè)試數(shù)據(jù)優(yōu)化PCB疊層結(jié)構(gòu)
在傳統(tǒng)電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)流程中，PCB疊層結(jié)構(gòu)的規(guī)劃往往基于經(jīng)驗(yàn)法則或前期仿真，通過(guò)調(diào)整電源/地平面間距、介質(zhì)材料參數(shù)等手段抑制輻射發(fā)射。然而，當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)入輻射發(fā)射測(cè)試階段時(shí)，若發(fā)現(xiàn)超標(biāo)頻點(diǎn)，常規(guī)做法是增加屏蔽罩、優(yōu)化走線(xiàn)或添加濾波器件，而較少?gòu)寞B層結(jié)構(gòu)本身進(jìn)行系統(tǒng)性反思。這種“事后補(bǔ)救”模式不僅可能增加設(shè)計(jì)成本，還可能因結(jié)構(gòu)改動(dòng)影響信號(hào)完整性。本文提出一種反向思維：將輻射發(fā)射測(cè)試數(shù)據(jù)作為優(yōu)化PCB疊層結(jié)構(gòu)的“反饋信號(hào)”，通過(guò)頻域分析與結(jié)構(gòu)參數(shù)關(guān)聯(lián)，實(shí)現(xiàn)疊層設(shè)計(jì)的精準(zhǔn)修正。這一方法突破了“先設(shè)計(jì)后驗(yàn)證”的線(xiàn)性流程，將測(cè)試環(huán)節(jié)從“終點(diǎn)”轉(zhuǎn)變?yōu)椤皟?yōu)化起點(diǎn)”，為EMC設(shè)計(jì)提供了新的技術(shù)路徑。
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如何進(jìn)行醫(yī)療產(chǎn)品輻射發(fā)射的測(cè)試
輻射發(fā)射（RE） 測(cè)試主要是測(cè)量受試設(shè)備對(duì)環(huán)境的電磁騷擾能量。由于現(xiàn)在的電子設(shè)備日益發(fā)展，周?chē)碾娮釉O(shè)備越來(lái)越多，電磁環(huán)境也越來(lái)越擁擠。RE測(cè)試的目的就是為了控制受試設(shè)備的電磁輻射，使其不對(duì)
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通過(guò)輻射發(fā)射測(cè)試：如何避免采用復(fù)雜的EMI抑制技術(shù)以實(shí)現(xiàn)緊湊、高性?xún)r(jià)比的隔離設(shè)計(jì)
出于各種原因，電子系統(tǒng)需要實(shí)施隔離。它的作用是保護(hù)人員和設(shè)備不受高電壓的影響，或者僅僅是消除PCB上不需要的接地回路。在各種各樣的應(yīng)用中，包括工廠(chǎng)和工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備、通信和消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品，它都是一個(gè)基本設(shè)計(jì)元素。
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醫(yī)療產(chǎn)品輻射發(fā)射該怎么測(cè)試？
輻射發(fā)射（RE） 測(cè)試主要是測(cè)量受試設(shè)備對(duì)環(huán)境的電磁騷擾能量。由于現(xiàn)在的電子設(shè)備日益發(fā)展，周?chē)碾娮釉O(shè)備越來(lái)越多，電磁環(huán)境也越來(lái)越擁擠。RE測(cè)試的目的就是為了控制受試設(shè)備的電磁輻射，使其不
