深度分析如何提高太陽能逆變器轉(zhuǎn)換效率

功率開關(guān)的兩個選擇是MOSFET和 IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的開關(guān)頻率下。此外，還必須始終考慮體二極管的影響：在升壓級的情況下并沒有什么問題，因?yàn)檎９ぷ髂Ｊ较麦w二極管不導(dǎo)通。MOSFET的導(dǎo)通損耗可根據(jù)導(dǎo)通阻抗RDS(ON)來計算，對于給定的MOSFET 系列，這與有效裸片面積成比例關(guān)系。當(dāng)額定電壓從600V 變化到1200V時，MOSFET的傳導(dǎo)損耗會大大增加，因此，即使額定RDS(ON) 相當(dāng)，1200V的 MOSFET也不可用或是價格太高。