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非易失性技術(shù)

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有望取代閃存的新型非易失性技術(shù)--相變內(nèi)存

相變內(nèi)存（Phase Change Memory，PCM）是一項以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù)，可以成為取代閃存的一種低成本、更可靠、更快速和更好的技術(shù)。一些

網(wǎng)絡(luò)協(xié)議
2020-09-10

閃存非易失性技術(shù)

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