碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計劃顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性,從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構。
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