-
持續(xù)高增長的第三代半導體為何如此火熱？
第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優(yōu)勢，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。
第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優(yōu)勢，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號：京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權所有 用戶舉報窗口（ 郵箱：macysun@21ic.com ）
