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3D IC電源完整性多物理場耦合：電磁-熱應(yīng)力協(xié)同仿真與壓降優(yōu)化 摘要
隨著3D IC技術(shù)向10nm以下先進(jìn)制程與HBM3/3E堆疊演進(jìn)，電源完整性（Power Integrity, PI）面臨電磁干擾（EMI）、熱應(yīng)力耦合、IR壓降等復(fù)雜挑戰(zhàn)。本文提出一種電磁-熱應(yīng)力多物理場協(xié)同仿真框架，通過構(gòu)建熱-電-力耦合模型，實(shí)現(xiàn)3D IC中TSV（硅通孔）、微凸塊（Microbump）及RDL（再分布層）的壓降精準(zhǔn)預(yù)測與動(dòng)態(tài)優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)表明，該框架使3D IC電源網(wǎng)絡(luò)壓降預(yù)測誤差降低至3.2%，熱應(yīng)力導(dǎo)致的TSV電阻漂移減少68%，為高密度集成芯片的可靠性設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。
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硅生命周期管理（SLM）在3D IC中的應(yīng)用：從流片到部署的數(shù)據(jù)閉環(huán)策略
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，3D集成電路（3D IC）憑借其高集成度、低功耗和卓越性能等優(yōu)勢，成為推動(dòng)電子系統(tǒng)持續(xù)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。然而，3D IC的復(fù)雜結(jié)構(gòu)以及日益嚴(yán)苛的性能和可靠性要求，使得在其整個(gè)生命周期內(nèi)進(jìn)行持續(xù)維護(hù)和優(yōu)化變得至關(guān)重要。硅生命周期管理（SLM）作為一種新興范式，通過監(jiān)控、分析和優(yōu)化半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、測試和部署過程，為3D IC的發(fā)展提供了有力支持。
