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7nm+

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

臺(tái)積電7nm+大量供貨：近40年終于實(shí)現(xiàn)EUV光刻

臺(tái)積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶(hù)，這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。 EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)直接降到13.5n

充電吧
2019-10-25

7nm euv 光刻臺(tái)積電極紫外 7nm+

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